一、igbt的保護分哪三個保護

IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，被廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會使它損壞。為此，必須對IGBT進行相關(guān)保護。IGBT的保護主要分為三個部分：

1、過流保護

IGBT承受過電流的時間僅為幾微秒，耐過流量小，因此使用IGBT首要注意的是過流保護。IGBT的過流保護可分為兩種情況：驅(qū)動電路中無保護功能；驅(qū)動電路中設(shè)有保護功能。對于第一種情況，我們可以在主電路中要設(shè)置過流檢測器件；針對第二種情況，由于不同型號的混合驅(qū)動模塊，其輸出能力、開關(guān)速度與du/dt的承受能力不同，使用時要根據(jù)實際情況恰當選用。對于大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護則可以通過封鎖驅(qū)動信號或者減小柵壓來進行保護。

2、過壓保護

IGBT的過壓保護主要從以下幾個方面進行：

（1）盡可能減少電路中的雜散電感。

（2）采用吸收回路。吸收回路的作用是;當IGBT關(guān)斷時，吸收電感中釋放的能量，以降低關(guān)斷過電壓。

（3）適當增大柵極電阻Rg。

3、過熱保護

IGBT的過熱保護一般是采用散熱器（包括普通散熱器與熱管散熱器），并可進行強迫風冷。

二、IGBT的保護模式有哪些

不注意IGBT的保護，就無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題，因此需要做好保護工作，IGBT的保護模式主要有兩種：

1、傳統(tǒng)保護模式

防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設(shè)置一些保護元件，如電阻RGE可以使柵極積累電荷泄放，兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管可以防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另外，還有實現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動的IGBT之間的隔離設(shè)計，以及設(shè)計適合柵極的驅(qū)動脈沖電路等。

2、新型保護模式

將傳統(tǒng)的穩(wěn)壓管改為新型的瞬態(tài)抑制二極管（TVS），TVS反應速度極快（達PS級），通流能力遠超穩(wěn)壓二極管（可達上千安培），同時，TVS對靜電具有非常好的抑制效果。該產(chǎn)品可以通過IEC61000-4-2接觸放電8kV和空氣放電15kV的放電測試。

將傳統(tǒng)電阻RG變更為正溫度系數(shù)（PPTC）保險絲。它既具有電阻的效果，又對溫度比較敏感。當內(nèi)部電流增加時，其阻抗也在增加，從而對過流具有非常好的抑制效果。