一、IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的英文簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種三端半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景中，一般igbt有三個(gè)端子：集電極、發(fā)射極和柵極，它們都是附有金屬層，但是柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結(jié)構(gòu)其實(shí)就相當(dāng)于是一個(gè)四層半導(dǎo)體的器件。四層器件是通過(guò)組合PNP和NPN晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)的，它們構(gòu)成了P-N-P-N排列。

IGBT模塊是由IGBT芯片和反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路等組成的，它的結(jié)構(gòu)相比IGBT芯片要復(fù)雜很多，一般由以下幾部分組成：

1、散熱基板：IGBT模塊最下面的就是散熱基板，主要目的是把IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程產(chǎn)生的熱量快速傳遞出去。

2、DBC基板：全稱(chēng)為直接覆銅基板，一共包含3層，中間為陶瓷絕緣層，上下為覆銅層，簡(jiǎn)單來(lái)講就是在一個(gè)絕緣材料的兩面覆上一層銅皮，然后在正面刻蝕出能夠走電流的圖形，背面要直接焊接在散熱基板上，因此就不需要刻蝕了。

3、IGBT芯片：IGBT芯片是IGBT模塊的核心。

4、Diode芯片：二極管的電流方向是從上至下的，正好與IGBT的電流方向相反。

5、鍵合線：IGBT芯片、Diode芯片以及DBC的上銅層互連一般采用鍵合線實(shí)現(xiàn)，常用的鍵合線有鋁線和銅線兩種。

二、igbt工作原理是什么

IGBT是一種功率晶體管，主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電，其工作原理是通過(guò)不斷激活和停用其柵極端子來(lái)開(kāi)啟、關(guān)閉：

IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電，使IGBT關(guān)斷。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。