一、IGBT單管和IGBT模塊的區(qū)別是什么

IGBT是IGBT芯片、IGBT單管和IGBT模塊的統(tǒng)稱，IGBT單管和IGBT模塊都是由IGBT芯片制成的，它們的控制電路是一樣的，作用和工作原理也基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊，那么它們有啥區(qū)別呢？

1、IGBT單管：IGBT單管是分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，它的的封裝形式比較簡(jiǎn)單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器。

2、IGBT模塊：IGBT模塊是模塊化封裝的IGBT芯片，封裝形式比較復(fù)雜，除了IGBT晶體管，反向恢復(fù)二極管，溫度傳感器外，還有漏電感，濾波電容器，放大器，控制電路等。

除此之外，IGBT單管和IGBT模塊的區(qū)別還有：IGBT單管的功耗比IGBT模塊低，IGBT模塊的可靠性比IGBT單管更高。

二、IGBT單管能代替IGBT模塊嗎

應(yīng)用IGBT的時(shí)候，用IGBT單管還是IGBT模塊主要看應(yīng)用領(lǐng)域的需求，一般來(lái)說(shuō)，不建議用IGBT單管代替IGBT模塊，原因主要有兩點(diǎn)：

1、IGBT單管的散熱條件沒(méi)有IGBT模塊的散熱條件好。

2、就制作來(lái)說(shuō)，IGBT模塊的一致性比IGBT單管的一致性好，IGBT模塊中，IGBT芯片的并聯(lián)排線肯定比單管的好，會(huì)降低很多雜散參數(shù)，IGBT模塊并聯(lián)的芯片都是同一片wafer上取出相鄰的IGBT芯片，IGBT芯片參數(shù)非常相似，如果換成單管，那就不一定了。

當(dāng)然，要用IGBT單管代替IGBT模塊也不是不行，只是余量要留大一些。