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2025年IGBT十大品牌

十大IGBT廠商排行榜,IGBT芯片-IGBT模塊生產(chǎn)商,IGBT哪個(gè)品牌好
IGBT什么牌子好?經(jīng)專業(yè)評(píng)測(cè)的2025年IGBT十大品牌名單發(fā)布啦!居前十的有:infineon英飛凌、富士電機(jī)、Mitsubishi三菱、starpower、onsemi安森美、SemikronDanfoss、ST意法半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體、Toshiba東芝、士蘭微電子Silan等,上榜IGBT十大品牌榜單和著名IGBT品牌名單的是口碑好或知名度高、有實(shí)力的品牌,排名不分先后,僅供借鑒參考,想知道什么牌子的IGBT好?您可以多比較,選擇自己滿意的!IGBT品牌主要屬于商標(biāo)分類的第9類。榜單更新時(shí)間:2025年07月24日(每月更新)
十大品牌榜
人氣榜
口碑點(diǎn)贊榜
榮譽(yù)勛章榜
關(guān)注榜
  • NO.1
    infineon英飛凌
    英飛凌科技(中國)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)起草單位
    9個(gè)行業(yè)上榜十大品牌
    2個(gè)行業(yè)品牌金鳳冠
    成立時(shí)間2003年
    注冊(cè)資本4顆星
    關(guān)注度1萬+
    品牌得票5萬+
    德國
    品牌指數(shù)98.3
    評(píng)分9.1 口碑指數(shù)866 已點(diǎn)亮標(biāo)簽9個(gè) 未點(diǎn)亮標(biāo)簽7個(gè)
    英飛凌成立于1999年德國,前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,全球半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,在汽車電子、功率半導(dǎo)體和微控制器等領(lǐng)域具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),專注于為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案,其產(chǎn)品以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,業(yè)務(wù)遍及全球100多個(gè)國家和地區(qū)。查看更多>>
  • NO.2
    富士電機(jī)
    富士電機(jī)(中國)有限公司
    百年品牌 x88
    6個(gè)行業(yè)上榜十大品牌
    17個(gè)行業(yè)品牌金鳳冠
    成立時(shí)間1923年
    注冊(cè)資本4顆星
    關(guān)注度1萬+
    品牌得票3萬+
    日本
    品牌指數(shù)97.2
    評(píng)分9.1 口碑指數(shù)708 已點(diǎn)亮標(biāo)簽9個(gè) 未點(diǎn)亮標(biāo)簽7個(gè)
    富士電機(jī)創(chuàng)立于1923年日本,主要提供驅(qū)動(dòng)控制器、不間斷電源、自動(dòng)化及儀器儀表產(chǎn)品及低壓、中高壓電器產(chǎn)品的綜合機(jī)電產(chǎn)品制造企業(yè)。在電力、能源、水環(huán)境、各類產(chǎn)業(yè)設(shè)備工程等社會(huì)和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域開展事業(yè),是國際領(lǐng)先的環(huán)保、新能源、產(chǎn)業(yè)設(shè)備工程提供商。查看更多>>
  • NO.3
    Mitsubishi三菱
    三菱電機(jī)(中國)有限公司
    財(cái)富世界500強(qiáng)
    標(biāo)準(zhǔn)起草單位
    百年品牌 x88
    23個(gè)行業(yè)上榜十大品牌
    22個(gè)行業(yè)品牌金鳳冠
    成立時(shí)間1921年
    注冊(cè)資本5顆星
    關(guān)注度19萬+
    品牌得票5萬+
    日本 單品評(píng)價(jià)2千+ 品牌網(wǎng)店6+
    品牌指數(shù)96.1
    評(píng)分9.2 口碑指數(shù)1420 已點(diǎn)亮標(biāo)簽13個(gè) 未點(diǎn)亮標(biāo)簽8個(gè)
    始創(chuàng)于1921年日本,作為一家技術(shù)導(dǎo)向型企業(yè),三菱電機(jī)在壓縮機(jī)、自動(dòng)化、變頻控制、動(dòng)力設(shè)備等高科技領(lǐng)域造詣極深,連日本HTV航天器和新干線都對(duì)三菱電機(jī)的技術(shù)青睞有加。三菱專注于高精尖技術(shù)及專門知識(shí)的研究開發(fā)活動(dòng),致力于為全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)提供多樣而優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。查看更多>>
  • NO.4
    starpower
    斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司
    上交所上市公司
    專精特新小巨人
    標(biāo)準(zhǔn)起草單位
    高新技術(shù)企業(yè)
    1個(gè)行業(yè)上榜十大品牌
    2個(gè)行業(yè)品牌金鳳冠
    成立時(shí)間2005年
    員工2471+人
    注冊(cè)資本4顆星
    關(guān)注度2665+
    品牌得票1萬+
    浙江省嘉興市
    品牌指數(shù)94.7
    評(píng)分9.1 口碑指數(shù)2838 已點(diǎn)亮標(biāo)簽13個(gè) 未點(diǎn)亮標(biāo)簽6個(gè)
    斯達(dá)半導(dǎo)成立于2005年,國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),車規(guī)級(jí)IGBT領(lǐng)域的佼佼者,于2020年在上交所上市(股票代碼:603290),專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù),主要產(chǎn)品為IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等功率半導(dǎo)體元器件,其中IGBT模塊產(chǎn)品超過600種。查看更多>>
  • NO.5
    onsemi安森美
    安森美半導(dǎo)體公司
    11個(gè)行業(yè)上榜十大品牌
    1個(gè)行業(yè)品牌金鳳冠
    關(guān)注度9993+
    品牌得票5萬+
    美國
    品牌指數(shù)93.4
    評(píng)分8.6 口碑指數(shù)538 已點(diǎn)亮標(biāo)簽6個(gè) 未點(diǎn)亮標(biāo)簽7個(gè)
    onsemi安森美于1999年從摩托羅拉拆分獨(dú)立,于2016年收購Fairchild仙童半導(dǎo)體公司,現(xiàn)已成為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,提供8萬多款不同的器件和全球供應(yīng)鏈,包括全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時(shí)序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)單芯片(SoC)及定制器件陣容,涵蓋汽車、功率元件、工業(yè)自動(dòng)化、AC-DC、傳感器、信號(hào)控制等領(lǐng)域。查看更多>>
  • NO.6
    SemikronDanfoss
    賽米控丹佛斯電子(珠海)有限公司
    1個(gè)行業(yè)上榜十大品牌
    2個(gè)行業(yè)品牌金鳳冠
    注冊(cè)資本4顆星
    關(guān)注度1158+
    品牌得票1萬+
    德國
    品牌指數(shù)92.2
    評(píng)分8.3 口碑指數(shù)412 已點(diǎn)亮標(biāo)簽7個(gè) 未點(diǎn)亮標(biāo)簽6個(gè)
    賽米控成立于1951年德國,是全球領(lǐng)先的功率模塊和系統(tǒng)制造商,于2022年與功率模塊巨頭Danfoss丹佛斯合并,主要生產(chǎn)現(xiàn)代節(jié)能型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的核心器件,包括IGBT模塊、SiC、MOSFET模塊、晶閘管/二極管模塊、橋式整流器模塊、IPM和分立元件等,應(yīng)用于電源、可再生能源和電動(dòng)車等領(lǐng)域。查看更多>>
  • NO.7
    ST意法半導(dǎo)體
    意法半導(dǎo)體(中國)投資有限公司
    13個(gè)行業(yè)上榜十大品牌
    2個(gè)行業(yè)品牌金鳳冠
    成立時(shí)間1988年
    注冊(cè)資本5顆星
    關(guān)注度1萬+
    品牌得票5萬+
    意大利
    品牌指數(shù)91.1
    評(píng)分9.2 口碑指數(shù)884 已點(diǎn)亮標(biāo)簽8個(gè) 未點(diǎn)亮標(biāo)簽7個(gè)
    意法半導(dǎo)體創(chuàng)始于1988年,由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成,為全球大型半導(dǎo)體公司,多媒體應(yīng)用一體化和電源解決方案市場(chǎng)佼佼者,產(chǎn)品涵蓋分立器件、高性能微控制器、安全型智能卡芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件等眾多領(lǐng)域,擁有包括從分立二極管與晶體管到復(fù)雜的片上系統(tǒng)器件等廣泛的半導(dǎo)體產(chǎn)品線。查看更多>>
  • NO.8
    比亞迪半導(dǎo)體
    比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司
    1個(gè)行業(yè)上榜十大品牌
    4個(gè)行業(yè)品牌金鳳冠
    成立時(shí)間2004年
    注冊(cè)資本5顆星
    關(guān)注度1985+
    品牌得票1萬+
    廣東省深圳市
    品牌指數(shù)90
    評(píng)分9.1 口碑指數(shù)2596 已點(diǎn)亮標(biāo)簽8個(gè) 未點(diǎn)亮標(biāo)簽6個(gè)
    比亞迪半導(dǎo)體成立于2004年,是國內(nèi)領(lǐng)先的高效、智能、集成新型半導(dǎo)體企業(yè),車規(guī)級(jí)IGBT領(lǐng)域的佼佼者,主要從事功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導(dǎo)體、制造及服務(wù),產(chǎn)品已基本覆蓋新能源汽車核心應(yīng)用領(lǐng)域,同時(shí)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、家電、新能源、消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域。查看更多>>
  • NO.9
    Toshiba東芝
    東芝(中國)有限公司
    百年品牌 x88
    10個(gè)行業(yè)上榜十大品牌
    8個(gè)行業(yè)品牌金鳳冠
    成立時(shí)間1875年
    注冊(cè)資本4顆星
    關(guān)注度38萬+
    品牌得票5萬+
    日本
    品牌指數(shù)88.8
    評(píng)分9 口碑指數(shù)3451 已點(diǎn)亮標(biāo)簽9個(gè) 未點(diǎn)亮標(biāo)簽7個(gè)
    東芝是全球知名的半導(dǎo)體制造商,旗下東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置公司成立于2017年,提供功率射頻器件、晶體管、二極管、光電半導(dǎo)體、微控制器、傳感器等各類IC及機(jī)械硬盤和移動(dòng)硬盤等產(chǎn)品,其半導(dǎo)體產(chǎn)品包括SiC功率器件、MOSFET、IGBT/IEGT、隔離器/固態(tài)繼電器、電源管理IC、智能功率IC、線性IC等。查看更多>>
  • NO.10
    士蘭微電子Silan
    杭州士蘭微電子股份有限公司
    上交所上市公司
    標(biāo)準(zhǔn)起草單位
    高新技術(shù)企業(yè)
    3個(gè)行業(yè)上榜十大品牌
    8個(gè)行業(yè)品牌金鳳冠
    成立時(shí)間1997年
    員工1萬+人
    注冊(cè)資本5顆星
    關(guān)注度2萬+
    品牌得票3萬+
    浙江省杭州市
    品牌指數(shù)87.5
    評(píng)分9.3 口碑指數(shù)974 已點(diǎn)亮標(biāo)簽12個(gè) 未點(diǎn)亮標(biāo)簽6個(gè)
    士蘭微電子始于1997年,是專業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè),于2003年在上交所上市(股票代碼:600460),在綠色電源芯片技術(shù)、MEMS傳感器技術(shù)、LED照明和屏顯技術(shù)、高壓智能功率模塊技術(shù)、第三代功率半導(dǎo)體器件技術(shù)等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域保持了國內(nèi)領(lǐng)先的地位。查看更多>>
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igbt是什么意思 IGBT模塊是什么意思
IGBT中文全稱是絕緣柵雙極型晶體管,它被譽(yù)為電力電子裝置的“CPU”,主要用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)中,在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。IGBT是半導(dǎo)體器件,也叫IGBT芯片,應(yīng)用時(shí)一般是將多個(gè)IGBT芯片模塊化組成IGBT模塊使用。下面一起來了解一下igbt是什么意思以及IGBT模塊是什么意思吧。
IGBT 芯片
2694 2
igbt驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)有哪些 IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)有哪些要求
igbt驅(qū)動(dòng)電路,顧名思義就是驅(qū)動(dòng)igbt模塊的電路,同時(shí)可以起到保護(hù)igbt模塊的作用,它具有較高的輸入輸出電氣隔離性能、靈敏的過流保護(hù)能力、盡可能小的輸入輸出延遲時(shí)間、足夠大的瞬時(shí)電流或瞬態(tài)功率,可以使IGBT可靠的開通和關(guān)斷。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)要滿足IGBT模塊工作的要求,那么IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)有哪些要求?igbt驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)有哪些?下面一起來文中了解一下吧。
IGBT 芯片
330 1
igbt模塊損壞的原因有哪些 igbt模塊怎么測(cè)量好壞
igbt模塊損壞一般常見的原因有過電流損壞、過電壓損壞、靜電損壞、過熱損壞、機(jī)械應(yīng)力對(duì)產(chǎn)品的破壞等,要判斷igbt模塊的好壞,一般是用指針式萬用表檢測(cè),將萬用表撥在R×1KΩ擋,然后先判斷igbt模塊的極性,然后通過阻斷和導(dǎo)通IGBT模塊來測(cè)量好壞。下面一起來了解一下igbt模塊損壞的原因有哪些以及igbt模塊怎么測(cè)量好壞吧。
IGBT 芯片
1157 1
igbt芯片和cpu芯片有啥區(qū)別 igbt芯片和igbt模塊的區(qū)別在哪
igbt芯片和cpu芯片都是芯片,但它們?cè)诠δ軅?cè)重點(diǎn)、集成度、工作環(huán)境方面有很大的區(qū)別,igbt芯片是絕緣柵雙極型晶體管芯片,它和igbt模塊統(tǒng)稱為igbt,不過igbt芯片是單體芯片,而igbt模塊是多塊igbt芯片和反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路等組成的集成模塊。下面一起來了解一下igbt芯片和cpu芯片有啥區(qū)別以及igbt芯片和igbt模塊的區(qū)別在哪吧。
IGBT cpu
629 1
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的 igbt工作原理是什么
igbt結(jié)構(gòu)相當(dāng)于一個(gè)四層半導(dǎo)體的器件,四層器件通過組合PNP和NPN晶體管構(gòu)成了P-N-P-N排列;igbt模塊則由散熱基板、DBC基板、IGBT芯片、Diode芯片以及鍵合線組成。IGBT主要用于把高壓直流變?yōu)榻涣?,以及變頻,這是通過不斷激活和停用其柵極端子來實(shí)現(xiàn)的。下面一起來了解一下IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的以及igbt工作原理是什么吧。
IGBT 芯片
831 1
igbt的作用與功能 igbt主要應(yīng)用在哪些場(chǎng)合
igbt的主要作用就是將輸入的高壓直流電流轉(zhuǎn)換為高壓交流電,還可以實(shí)現(xiàn)變頻,在新能源汽車的電動(dòng)控制系統(tǒng)、車載空調(diào)控制系統(tǒng)以及充電樁領(lǐng)域,智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端、用電端,軌道交通的交流傳動(dòng)系統(tǒng)中有廣泛的應(yīng)用。下面一起來了解一下igbt的作用與功能以及igbt主要應(yīng)用在哪些場(chǎng)合吧。
IGBT 芯片
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IGBT功率模塊多少錢一個(gè) igbt模塊怎么選型
igbt模塊的價(jià)格主要看生產(chǎn)廠家、參數(shù)、設(shè)計(jì)、性能等方面,具體價(jià)格從一兩百元一個(gè)到幾千元一個(gè)都有,選擇時(shí)并不是價(jià)格越高就越好,而是要綜合考慮電壓、電流和開關(guān)參數(shù)來選型,并注意選出的igbt模塊要滿足安全工作區(qū)、熱限制、封裝要求和可靠性要求四個(gè)方面的要求。下面一起來了解一下IGBT功率模塊多少錢一個(gè)以及igbt模塊怎么選型吧。
IGBT 芯片
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igbt和mos管的區(qū)別有哪些 igbt和mos管能互換嗎
igbt是絕緣柵雙極型晶體管,mos管是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、導(dǎo)通電壓、高溫特性、開關(guān)速度、應(yīng)用等諸多方面都存在一定的區(qū)別,相比較而言,二者各有各的優(yōu)勢(shì),選擇時(shí)主要是根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合來選擇,考慮到它們的工作特性不同,一般不能互換使用,考慮具體技術(shù)細(xì)節(jié)情況下,可以用IGBT替代mos管。那么igbt和mos管的區(qū)別有哪些?igbt和mos管能互換嗎?一起來文章中了解一下吧。
IGBT MOS管
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igbt的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有哪些 igbt有什么特性
igbt是常用的功率半導(dǎo)體器件,它具有電壓和電流處理能力高、沒有輸入電流和低輸入損耗、導(dǎo)通電阻低、芯片尺寸小、開關(guān)速度快、功率增益高等諸多優(yōu)點(diǎn),不過這種半導(dǎo)體器件也存在沒有附加電路無法處理AC波形、價(jià)格高、存在鎖存問題等缺點(diǎn)。下面一起來詳細(xì)了解一下igbt的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有哪些以及igbt有什么特性吧。
IGBT 芯片
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IGBT行業(yè)的發(fā)展前景怎么樣 IGBT未來發(fā)展趨勢(shì)及發(fā)展方向分析
igbt在新能源汽車等新興行業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,隨著這些產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,IGBT的需求量和需求空間也不斷擴(kuò)大,未來IGBT行業(yè)的發(fā)展前景還是比較廣闊的。IGBT的發(fā)展趨勢(shì)主要是降低損耗和降低成本,從結(jié)構(gòu)上來說,有IGBT縱向結(jié)構(gòu)、IGBT縱向結(jié)構(gòu)和硅片加工工藝三個(gè)發(fā)展方向。下面一起來看看IGBT行業(yè)的發(fā)展前景怎么樣以及IGBT未來發(fā)展趨勢(shì)及發(fā)展方向分析吧。
IGBT 芯片
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igbt工作原理和作用

一、igbt工作原理是什么

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的英文簡(jiǎn)稱,是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)的器件,一般igbt結(jié)構(gòu)相當(dāng)于一個(gè)四層半導(dǎo)體的器件,四層器件通過組合PNP和NPN晶體管構(gòu)成了P-N-P-N排列;igbt模塊則由散熱基板、DBC基板、IGBT芯片、Diode芯片以及鍵合線組成。IGBT作為一種功率晶體管,主要用于變頻器逆變和其他逆變電路,將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電,其工作原理是通過不斷激活和停用其柵極端子來開啟、關(guān)閉:IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電,使IGBT關(guān)斷。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。

二、igbt的作用和功能

IGBT的主要作用是可以很容易地將輸入的高壓直流電流轉(zhuǎn)換為高壓交流電,只需通過脈寬調(diào)制即可實(shí)現(xiàn)變頻控制,它通過十幾伏的門極控制信號(hào),即可實(shí)現(xiàn)kV級(jí)電壓和kA級(jí)電流的控制,開關(guān)頻率可達(dá)每秒幾萬次,具有高電壓、大電流、高頻率、低導(dǎo)通壓降等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于新能源汽車的電動(dòng)控制系統(tǒng)、車載空調(diào)控制系統(tǒng)以及充電樁領(lǐng)域,智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端、用電端,軌道交通的交流傳動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域。如果您需要采購igbt芯片或igbt模塊,可以先來看看IGBT十大品牌。

三、igbt芯片和igbt模塊的區(qū)別

IGBT芯片是絕緣柵雙極型晶體管芯片,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,被稱為“電力電子裝置的CPU”,它和igbt模塊統(tǒng)稱igbt,不過igbt芯片和igbt模塊還是有所不同的,簡(jiǎn)單來說,IGBT芯片就是一塊封裝好的絕緣柵雙極型晶體管芯片,而igbt模塊是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。一般來說,IGBT芯片不會(huì)單獨(dú)使用,而是組裝成igbt模塊再使用,因?yàn)镮GBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊。

四、igbt模塊怎么測(cè)量好壞

igbt模塊損壞一般常見的原因有過電流損壞、過電壓損壞、靜電損壞、過熱損壞、機(jī)械應(yīng)力對(duì)產(chǎn)品的破壞等,判斷IGBT模塊是否損壞,一般需要先對(duì)其進(jìn)行檢測(cè),igbt模塊的檢測(cè)一般分為兩部分:1、判斷極性:首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測(cè)量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G),其余兩極再用萬用表測(cè)量,若測(cè)得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接地為發(fā)射極(E)。2、判斷好壞:將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E),此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT被阻斷,萬用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。