1、沉積

制造芯片的第一步，通常是將材料薄膜沉積到晶圓上。材料可以是導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體。

2、光刻膠涂覆

進(jìn)行光刻前，首先要在晶圓上涂覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”，然后將晶圓放入光刻機(jī)。

3、曝光

在掩模版上制作需要印刷的圖案藍(lán)圖。晶圓放入光刻機(jī)后，光束會通過掩模版投射到晶圓上。光刻機(jī)內(nèi)的光學(xué)元件將圖案縮小并聚焦到光刻膠涂層上。在光束的照射下，光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，光罩上的圖案由此印刻到光刻膠涂層。

4、計(jì)算光刻

光刻期間產(chǎn)生的物理、化學(xué)效應(yīng)可能造成圖案形變，因此需要事先對掩模版上的圖案進(jìn)行調(diào)整，確保最終光刻圖案的準(zhǔn)確。

5、烘烤與顯影

晶圓離開光刻機(jī)后，要進(jìn)行烘烤及顯影，使光刻的圖案永久固定。洗去多余光刻膠，部分涂層留出空白部分。

6、刻蝕

顯影完成后，使用氣體等材料去除多余的空白部分，形成3D電路圖案。

7、計(jì)量和檢驗(yàn)

芯片生產(chǎn)過程中，始終對晶圓進(jìn)行計(jì)量和檢驗(yàn)，確保沒有誤差。檢測結(jié)果反饋至光刻系統(tǒng)，進(jìn)一步優(yōu)化、調(diào)整設(shè)備。這一部，就需要用到納米級超精密運(yùn)動平臺這一關(guān)鍵設(shè)備了。

8、離子注入

在去除剩余的光刻膠之前，可以用正離子或負(fù)離子轟擊晶圓，對部分圖案的半導(dǎo)體特性進(jìn)行調(diào)整。

9、視需要重復(fù)制程步驟

從薄膜沉積到去除光刻膠，整個(gè)流程為晶圓片覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片上形成集成電路，完成芯片制作，這一流程需要不斷重復(fù)，可多達(dá)100次。

10、封裝芯片

最后一步，運(yùn)用超精密運(yùn)動平臺，進(jìn)行晶圓切割，獲得單個(gè)芯片，封裝在保護(hù)殼中。這樣，成品芯片就可以用來生產(chǎn)電視、平板電腦或者其他數(shù)字設(shè)備了！