著錄信息
- 專利名稱：一種金屬氧化物TFT器件及制造方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201280001860.6
- 公開(公告)號(hào)：CN104040693B
- 申請(qǐng)日：20121204
- 公開(公告)日：20171212
- 申請(qǐng)人：深圳市柔宇科技有限公司
- 發(fā)明人：魏鵬,余曉軍,劉自鴻
- 申請(qǐng)人地址：518057 廣東省深圳市南山區(qū)高新南環(huán)路29號(hào)留學(xué)生創(chuàng)業(yè)大廈2005室
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN440305
- 專利權(quán)人：深圳市柔宇科技有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L21/28,H01L29/786,G02F1/1362
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
- 代理人：張全文
- 審查員：李海龍
- 國(guó)際申請(qǐng)：PCT/CN2012/085792 20121204
- 國(guó)際公開(公告)：WO2014/085971 20140612
- 進(jìn)入國(guó)家日期：20121228
- 分案申請(qǐng)：無
關(guān)鍵詞
光刻膠,半導(dǎo)體層,對(duì)準(zhǔn),刻蝕阻擋層,源漏極,溝道,基板,掩膜,絕緣層,剝離,金屬氧化物TFT,半導(dǎo)體溝道,沉積鈍化層,沉積電極,電子器件,基板背部,寄生電容,刻蝕電極,器件性能,依次設(shè)置,曝光,電極層,掩膜板,自對(duì)準(zhǔn),覆蓋,制備,制造,隔離,保留,制作
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