一、半導體激光器結構中的勢壘是什么

一般在談到半導體的PN結時，就會聯系到勢壘，這涉及半導體的基礎內容。簡單地說，所謂勢壘也稱位壘，就是在PN結由于電子、空穴的擴散所形成的阻擋層，兩側的勢能差，就稱為勢壘。

二、半導體激光器產生激光的條件介紹

半導體激光器產生激光的條件主要包括以下幾點：

1、增益條件。需要在有源區(qū)（激射媒質）內建立載流子的反轉分布，即在高能態(tài)導帶底的電子數需要大于低能態(tài)價帶頂的空穴數。這通常通過給同質結或異質結加正向偏壓來實現，從而將電子從能量較低的價帶激發(fā)到能量較高的導帶。當電子和空穴在粒子數反轉狀態(tài)下復合時，會產生受激發(fā)射作用。

2、光學諧振腔。諧振腔由半導體晶體的自然解理面形成反射鏡，出光面通常鍍有減反膜，而不出光的那一端則鍍上高反多層介質膜，形成F-P（法布里-拍羅）腔。這樣的結構使得受激輻射的光在腔內多次反饋，形成激光振蕩。

3、滿足閾值條件。激光媒質必須提供足夠的增益，以彌補諧振腔引起的光損耗及激光輸出引起的損耗。這要求有足夠強的電流注入，即有足夠的粒子數反轉。當激光器達到閾值時，具有特定波長的光就能在腔內諧振并被放大，形成激光并連續(xù)輸出。

此外，半導體激光器產生激光還需要滿足相位條件，以及具有良好的散熱措施，以保證激光器的穩(wěn)定性和壽命。