一、mos管燒掉的原因有哪些

mos管，全稱為金屬氧化物半導體場效應管，是一種常用于電子電路中的半導體器件。但是，在電路設計和操作過程中，常常會發(fā)生mos管燒毀的情況，導致電子設備的故障。那么，mos管燒毀的原因是什么呢？本文將從多個方面分步驟闡述。

1、加熱過程中因氧化層受損

mos管的核心是由金屬控制電流流動的金屬柵極和半導體材料組成的氧化層。氧化層中的氧化物具有良好的隔離性，以防止電流流入。但是，如果氧化層在制造過程中受到損壞，或在使用過程中由于局部加熱導致?lián)p壞，將使mos管的隔離性大大降低，從而導致電路短路，隨之而來的是mos管的燒毀。

2、通電時因超過承受電壓

mos管在使用過程中，必須保持適當的電壓和電流范圍。如果電路設計或使用中對電壓過高或電流過大，將導致mos管內部的元器件無法承受，致使內部失效和燒毀。

3、外部應力因素作用

在電子電路中，mos管的工作溫度受到外界環(huán)境因素的影響。如地震、高溫、潮濕等極端環(huán)境下，mos管可能會受到損壞，從而導致失效和燒毀。此外，日常使用中人為因素，如不當連接、彎曲、撞擊等亦可能導致mos管損壞。

4、由于使用壽命過長

mos管是一種電子元器件，其使用壽命是有限的。在使用時間過長、性能下降的情況下，會出現(xiàn)各種各樣的燒毀現(xiàn)象。在mos管老化過程中，電極之間漸漸失去隔離性能，同時通電時也會出現(xiàn)許多“噪聲”，這些因素都可能導致mos管的失效?？偟膩碚f，mos管燒毀是由多種因素共同作用而形成的。想要有效避免mos管燒毀，我們應該在選擇和使用mos管時嚴格按照規(guī)范操作。對于一旦有了問題，及時采取維修措施以確保設備正常運轉。

二、MOS管失效的5大原因及解決措施介紹

1、雪崩失效（電壓失效）

雪崩失效也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。

雪崩失效的預防措施：雪崩失效歸根結底是電壓失效，因此預防我們著重從電壓來考慮。

2、柵極電壓失效

造成柵極電壓異常高的主要原因有三：生產、運輸、裝配過程中的靜電；電力系統(tǒng)運行中設備和電路寄生參數引起的高壓諧振；在高壓沖擊過程中，高壓通過Ggd傳輸到電網（在雷擊試驗中，這種原因引起的故障更常見）。

柵極電壓失效的預防措施：柵極和源極之間的過電壓保護：如果柵極和源極之間的阻抗過高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過電極間電容耦合到柵極上，導致非常高的UGS電壓超調，從而導致柵極超調。氧化物層永久性損壞。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設備也可能導通錯誤。為此，應適當降低柵極驅動電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個阻尼電阻或一個穩(wěn)壓約20V的調壓器。必須特別注意防止開門操作。

3、SOA失效（電流失效）

SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導致的破壞模式?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式。

SOA失效的預防措施：（1）確保在最差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內。（2）將OCP功能一定要做精確細致。

4、靜電失效

靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有電場，與地球有電位差；產生放電電流。

靜電失效預防措施：MOS電路輸入端的保護二極管在通電時的電流容限為1毫安。當可能出現(xiàn)過大的瞬時輸入電流（大于10mA）時，輸入保護電阻應串聯(lián)，同時，由于保護電路吸收的瞬時能量有限，過大的瞬時信號和過高的靜電電壓會使保護電路失效。因此，在焊接過程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設備輸入端子泄漏。一般使用時，斷電后，可利用烙鐵的余熱進行焊接，其接地腳應先焊好。

5、體二極管故障

在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。在不同的拓撲和電路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個重要因素。由于二極管本身是寄生參數，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過結合自身電路來分析。