一、單晶硅片尺寸是多少

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。

大尺寸的優(yōu)勢：

1、硅片-電池片-組件端，降低單瓦非硅成本。

2、組件-電站端，降低BOS成本。硅片尺寸增大，增加了從硅片、電池、組件到電站等各環(huán)節(jié)的產能輸出，相當于攤銷了部分人工、折舊、水電氣、施工等成本投入。

二、單晶硅片的厚度是多少

隨著產業(yè)鏈合作推進，薄片化進程加速。硅片厚度對電池片的自動化、良率、轉換效率等均有影響，需要與下游電池片、組件制造端需求匹配，因此薄片化更為依賴產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的合作推進。

2020年多晶硅片平均厚度為180μm，P型單晶硅片平均厚度在175μm左右，N型硅片平均厚度為168μm，TOPCon電池的N型硅片平均厚度為175μm，異質結電池的硅片厚度約150μm。

1、P型單晶硅片：薄片化經歷了350μm、250μm、220μm、200μm、180μm等多個節(jié)點，預計2021年達到170μm，150-160μm的薄片技術目前已經趨于成熟，2025年有望達到160μm。

2、N型單晶硅片：N型硅片相比P型更容易實現(xiàn)減薄，預計2021年達到160-165μm，目前已經具備120-140μm的薄片技術，遠期有望達到100-120μm。

3、異質結電池N型單晶硅片：HJT是最有利于薄片化的電池結構和工藝，在薄片化方面具備天然優(yōu)勢，原因是：

（1）對稱結構、低溫或無應力制程可以適應更薄的硅片。

（2）轉換效率不受厚度影響，即使減薄到100μm左右，依賴超低表面復合，短路電流Isc的損失可以通過開路電壓Voc得到補償。

根據(jù)相關預測，2024、2027、2030年異質結N型硅片厚度將分別達到140、130、120μm，薄片化的理論極限可以達到100μm以下。