芯片制作流程

1、濕洗

用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質(zhì)。

2、光刻

用紫外線透過(guò)蒙版照射硅晶圓，被照到的地方就會(huì)容易被洗掉，沒被照到的地方就保持原樣. 于是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案. 注意，此時(shí)還沒有加入雜質(zhì)，依然是一個(gè)硅晶圓。

3、 離子注入

在硅晶圓不同的位置加入不同的雜質(zhì)，不同雜質(zhì)根據(jù)濃度/位置的不同就組成了場(chǎng)效應(yīng)管。

4、蝕刻

（1）干蝕刻 ：之前用光刻出來(lái)的形狀有許多其實(shí)不是我們需要的，而是為了離子注入而蝕刻的?，F(xiàn)在就要用等離子體把他們洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出來(lái)的結(jié)構(gòu)，這一步進(jìn)行蝕刻。

（2）濕蝕刻 ：進(jìn)一步洗掉，但是用的是試劑，所以叫濕蝕刻。以上步驟完成后，場(chǎng)效應(yīng)管就已經(jīng)被做出來(lái)啦，但是以上步驟一般都不止做一次，很可能需要反反復(fù)復(fù)的做，以達(dá)到要求。

5、等離子沖洗

用較弱的等離子束轟擊整個(gè)芯片。

6、熱處理

（1）快速熱退火：就是瞬間把整個(gè)片子通過(guò)大功率燈啥的照到1200攝氏度以上，然后慢慢地冷卻下來(lái)，為了使得注入的離子能更好的被啟動(dòng)以及熱氧化。

（2）退火。

（3）熱氧化 ：制造出二氧化硅，也即場(chǎng)效應(yīng)管的柵極(gate) 。

7、化學(xué)氣相淀積

進(jìn)一步精細(xì)處理表面的各種物質(zhì)。

8、物理氣相淀積

類似，而且可以給敏感部件加coating。

9、分子束外延

如果需要長(zhǎng)單晶的話就需要。

10、電鍍處理

11、化學(xué)/機(jī)械表面處理

12、晶圓測(cè)試

13、晶圓打磨

14、出廠封裝

芯片和集成電路的區(qū)別

1、定義不同

（1）集成電路是指組成電路的有源器件、無(wú)源元件及其互連一起制作在半導(dǎo)體襯底上或絕緣基片上，形成結(jié)構(gòu)上緊密聯(lián)系的、內(nèi)部相關(guān)的事例電子電路。它可分為半導(dǎo)體集成電路、膜集成電路、混合集成電路三個(gè)主要分支。

（2）芯片就是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，是集成電路的載體，由晶圓分割而成。

2、范圍不同

（1）芯片就是芯片，一般是指你肉眼能夠看到的長(zhǎng)滿了很多小腳的或者腳看不到，但是很明顯的方形的那塊東西。不過(guò)，芯片也包括各種各樣的芯片，比如基帶的、電壓轉(zhuǎn)換的等等。

（2）集成電路范圍要廣多了，把一些電阻電容二極管集成到一起就算是集成電路了，可能是一塊模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換的芯片，也可能是一塊邏輯控制的芯片，但是總得來(lái)說(shuō)，這個(gè)概念更加偏向于底層的東西。

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