著錄信息
- 專利名稱：中高溫光譜選擇性吸收涂層
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN201210442227.2
- 公開(公告)號：CN102954611B
- 申請日：20121107
- 公開(公告)日：20140917
- 申請人：北京市太陽能研究所集團有限公司
- 發(fā)明人：王軒,張敏,尹萬里,崔銀芳,孫守建,朱敦智
- 申請人地址：100012 北京市朝陽區(qū)北苑路大羊坊10號桑普大廈
- 申請人區(qū)域代碼：CN110105
- 專利權(quán)人：北京市太陽能研究所集團有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：F24J2/48,B32B33/00,C23C14/06,C23C14/35
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機構(gòu)：北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
- 代理人：韓國勝
- 審查員：鄧娜
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
吸收層,選擇性吸收涂層,高溫光譜,金屬組分,光譜選擇性吸收涂層,金屬陶瓷復(fù)合膜,紅外反射層,高溫環(huán)境,工作溫度,鈍化層,發(fā)射比,反射層,粘結(jié)層,光熱,層膜,基底,大于
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