著錄信息
- 專利名稱：一種BE結(jié)集成電阻的改進(jìn)型槽型聯(lián)柵晶體管
- 專利類型：實(shí)用新型
- 申請?zhí)枺?/em>CN201320264090.6
- 公開(公告)號(hào)：CN203423186U
- 申請日：20130515
- 公開(公告)日：20140205
- 申請人：深圳市盛元半導(dǎo)體有限公司
- 發(fā)明人：張雷,喬宇波,梁明
- 申請人地址：518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福永鳳凰第三工業(yè)區(qū)創(chuàng)業(yè)園E幢
- 申請人區(qū)域代碼：CN440306
- 專利權(quán)人：深圳市盛元半導(dǎo)體有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L29/739,H01L29/417
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
- 代理人：湯東鳳
- 審查員：無
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進(jìn)入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
導(dǎo)電材料,基區(qū),氧化層,多晶硅,槽型柵極,發(fā)射極,集電極,引出端,襯底,應(yīng)用與推廣,高頻輻射,節(jié)省成本,離子注入,終端客戶,集成度,導(dǎo)電層,抗沖擊,晶體管,槽型,電阻,淀積,電路,擴(kuò)散
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