著錄信息
- 專利名稱：化學(xué)浴沉積設(shè)備和制備ZnS薄膜的方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN201510166863.0
- 公開(公告)號：CN104762611B
- 申請日：20150409
- 公開(公告)日：20170531
- 申請人：深圳先進(jìn)技術(shù)研究院,香港中文大學(xué)
- 發(fā)明人：張倩,楊春雷,顧光一,熊治雨,王婷婷,程亞,肖旭東
- 申請人地址：518055 廣東省深圳市南山區(qū)西麗大學(xué)城學(xué)苑大道1068號
- 申請人區(qū)域代碼：CN440305
- 專利權(quán)人：深圳先進(jìn)技術(shù)研究院,香港中文大學(xué)
- 洛迦諾分類：無
- IPC：C23C18/00
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
- 代理人：吳平
- 審查員：王姍
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進(jìn)入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
薄膜太陽能電池,化學(xué)浴沉積,反應(yīng)器皿,反應(yīng)面,化學(xué)浴,液面,沖刷,制備,分部,薄膜材料,厚度可控,均勻致密,快速制備,制造成本,緩沖層,薄膜,應(yīng)用
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