著錄信息
- 專利名稱：突發(fā)式光模塊用淺溝柵狀背光探測器及其制作方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN201210573786.7
- 公開(公告)號：CN103050565B
- 申請日：20121226
- 公開(公告)日：20160504
- 申請人：華工科技產業(yè)股份有限公司
- 發(fā)明人：丁國慶,唐琦,胡長飛
- 申請人地址：430223 湖北省武漢市洪山區(qū)珞瑜路243號華工科技產業(yè)大廈A座12樓
- 申請人區(qū)域代碼：CN420111
- 專利權人：華工科技產業(yè)股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L31/109,H01L31/18
- 優(yōu)先權：無
- 專利代理機構：北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
- 代理人：朱振德
- 審查員：張玉萍
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
淺溝,金屬電極,刻蝕區(qū),背光探測器,電接觸層,光吸收層,覆蓋層,柵狀,氫離子,非故意摻雜,高濃度摻雜,光脈沖信號,金屬擋光層,氫離子注入,開啟延遲,中等濃度,設有,摻雜的,電脈沖,高阻區(qū),隔離區(qū),光敏區(qū),光模塊,過渡層,緩沖層,面積和,突發(fā)式,高阻,減小,拖尾,一種,底部,下方,外圍,包圍,減少,有效
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